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单位包 | 2500 |
最小起订量 | 2500 |
系列 | SPD65R660 |
封装 | Reel |
商品名 | CoolMOS |
零件号别名 | IPD65R660CFDAATMA1 |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
晶体管极性 | N-Channel |
封装/外壳 | TO-252-3 |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
宽度 | 6.22 mm |
Qg - Gate Charge | 20 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
下降时间 | 10 ns |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 6 A |
长度 | 6.5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 594 mOhms |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 2.3 mm |
安装风格 | SMD/SMT |
典型导通延迟时间 | 9 ns |
最低工作温度 | - 40 C |
Pd - Power Dissipation | 62.5 W |
上升时间 | 8 ns |
技术 | Si |